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內(nèi)存?zhèn)鬏旑愋停侵竷?nèi)存所采用的內(nèi)存類型。不同類型的內(nèi)存，傳輸類型各有差異，在傳輸率、工作頻率、工作方式、工作電壓等方面，都有不同。目前，市場中主要有的內(nèi)存類型有SDRAM、DDRSDRAM和RDRAM三種。其中，DDRSDRAM內(nèi)存占據(jù)了市場的主流，而SDRAM內(nèi)存規(guī)格已不再發(fā)展，處于被淘汰的行列。RDRAM則始終未成為市場的主流，只有部分芯片組支持，而這些芯片組也逐漸退出了市場，RDRAM前景并不被看好。
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SDRAM，即SynchronousDRAM(同步動態(tài)隨機存儲器)，曾經(jīng)是PC電腦上最為廣泛應用的一種內(nèi)存類型，即便在今天，SDRAM仍舊還在市場占有一席之地。既然是同步動態(tài)隨機存儲器，那就代表著它的工作速度是與系統(tǒng)總線速度同步的。
SDRAM內(nèi)存又分為PC66、PC100、PC133等不同規(guī)格，而規(guī)格后面的數(shù)字，就代表著該內(nèi)存最大所能正常工作的系統(tǒng)總線速度，如PC100，那就說明此內(nèi)存可以在系統(tǒng)總線為100MHz的電腦中同步工作。
與系統(tǒng)總線速度同步，也就是與系統(tǒng)時鐘同步，這樣就避免了不必要的等待周期，減少數(shù)據(jù)存儲時間。同步還使存儲控制器知道在哪一個時鐘脈沖期由數(shù)據(jù)請求使用，因此數(shù)據(jù)可在脈沖上升期便開始傳輸。SDRAM采用3.3伏工作電壓，168Pin的DIMM接口，帶寬為64位。SDRAM不僅應用在內(nèi)存上，在顯存上也較為常見。
內(nèi)存?zhèn)鬏旑愋停?/strong>DDR
嚴格的說，DDR應該叫DDRSDRAM，人們習慣稱為DDR。部分初學者也常看到DDRSDRAM，就認為是SDRAM。DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器的意思。
DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存的基礎上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系。因此，對于內(nèi)存廠商而言，只需對制造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。
SDRAM在一個時鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時鐘的上升期進行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù)，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)。因此，稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下，達到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。
與SDRAM相比，DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、數(shù)據(jù)輸送和輸出的主要步驟，既獨立執(zhí)行，又保持與CPU完全同步。DDR使用了DLL(DelayLockedLoop，延時鎖定回路提供一個數(shù)據(jù)濾波信號)技術(shù)，當數(shù)據(jù)有效時，存儲控制器可使用這個數(shù)據(jù)濾波信號來精確定位數(shù)據(jù)，每16次輸出一次，并重新同步來自不同存儲器模塊的數(shù)據(jù)。DDR本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率，就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù)，因而其速度是標準SDRA的兩倍。
從外形體積上看，DDR與SDRAM相比差別并不大。他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等信號。DDR內(nèi)存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標準，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標準。
內(nèi)存?zhèn)鬏旑愋停?/strong>RDRAM
RDRAM(RambusDRAM)是美國的RAMBUS公司開發(fā)的一種內(nèi)存。與DDR和SDRAM不同，它采用了串行的數(shù)據(jù)傳輸模式。在推出時，因為其徹底改變了內(nèi)存的傳輸模式，無法保證與原有的制造工藝相兼容，而且內(nèi)存廠商要生產(chǎn)RDRAM，還必須要加納一定專利費用，再加上其本身制造成本，就導致了RDRAM從一問世就高昂的價格，讓普通用戶無法接收。而同時期的DDR則能以較低的價格，不錯的性能，逐漸成為主流，雖然RDRAM曾受到英特爾公司的大力支持，但始終沒有成為主流。
RDRAM的數(shù)據(jù)存儲位寬是16位，遠低于DDR和SDRAM的64位。但在頻率方面，則遠遠高于二者，可以達到400MHz乃至更高。同樣也是在一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，內(nèi)存帶寬能達到1.6Gbyte/s。
普通的DRAM行緩沖器的信息，在寫回存儲器后便不再保留，而RDRAM則具有繼續(xù)保持這一信息的特性，于是在進行存儲器訪問時，如行緩沖器中已經(jīng)有目標數(shù)據(jù)，則可利用，因而實現(xiàn)了高速訪問。另外，其可把數(shù)據(jù)集中起來，以分組的形式傳送。所以，只要最初用24個時鐘，以后便可每1時鐘讀出1個字節(jié)。一次訪問所能讀出的數(shù)據(jù)長度，可以達到256字節(jié)。
內(nèi)存?zhèn)鬏旑愋停?/strong>DDR2
DDR2(DoubleDataRate2)SDRAM，是由JEDEC(電子設備工程聯(lián)合委員會)進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標準，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預讀取能力(即：4bit數(shù)據(jù)讀預取)。換句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍于外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。
DDR和DDR2技術(shù)對比的數(shù)據(jù)此外，由于DDR2標準規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發(fā)展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200，經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù)，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限，已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度。隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線對內(nèi)存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢所趨。
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