內存條有哪些類型
你們知道內存條有哪些類型嗎?不知道的話跟著學習啦小編一起來學習了解內存條有哪些類型。
內存條的類型及介紹
1.內存條的誕生 當CPU在工作時，需要從硬盤等外部存儲器上讀取數據，但由于硬盤這個“倉庫”太大，加上離CPU也很“遠”，運輸“原料”數據的速度就比較慢，導致CPU的生產效率大打折扣!為了解決這個問題，人們便在CPU與外部存儲器之間，建了一個“小倉庫”—內存。/
內存雖然容量不大，一般只有幾十MB到幾百MB，但中轉速度非常快，如此一來，當CPU需要數據時，事先可以將部分數據存放在內存中，以解CPU的燃眉之急。由于內存只是一個“中轉倉庫”，因此它并不能用來長時間存儲數據。內存又叫隨機存儲器斷電之后數據全部丟失。而硬盤則不會。
2.常見的內存條,
目前PC中所用的內存主要有SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等三種類型。
曾經主流—SDRAMB
SDRAM(Synchronous DRAM)即“同步動態隨機存儲器”。SDRAM內存條的兩面都有金手指，是直接插在內存條插槽中的，因此這種結構也叫“雙列直插式”，英文名叫“DIMM”。目前絕大部分內存條都采用這種“DIMM”結構。$ /Ee
隨著處理器前端總線的不斷提高，SDRAM已經無法滿足新型處理器的需要了，早已退出了主流市場。
今日主流—DDR SDRAM
DDR SDRAM(簡稱DDR)是采用了DDR(Double Data Rate SDRAM，雙倍數據速度)技術的SDRAM，與普通SDRAM相比，在同一時鐘周期內，DDR SDRAM能傳輸兩次數據，而SDRAM只能傳輸一次數據。
從外形上看DDR內存條與SDRAM相比差別并不大，它們具有同樣的長度與同樣的引腳距離。只不過DDR內存條有184個引腳，金手指中也只有一個缺口，而SDRAM內存條是168個引腳，并且有兩個缺口。."?H0B
根據DDR內存條的工作頻率，它又分為DDR200、DDR266、DDR333、DDR400等多種類型：與SDRAM一樣，DDR也是與系統總線頻率同步的，不過因為雙倍數據傳輸，因此工作在133MHz頻率下的DDR相當于266MHz的SDRAM，于是便用DDR266來表示。cX
小提示：工作頻率表示內存所能穩定運行的最大頻率，例如PC133標準的SDRAM的工作頻率為133MHz，而DDR266 DDR的工作頻率為266MHz。對于內存而言，頻率越高，其帶寬越大。
除了用工作頻率來標示DDR內存條之外，有時也用帶寬值來標示，例如DDR 266的內存帶寬為2100MB/s，所以又用PC2100來標示它，于是DDR333就是PC2700，DDR400就是PC3200了。
小提示：內存帶寬也叫“數據傳輸率”，是指單位時間內通過內存的數據量，通常以GB/s表示。我們用一個簡短的公式來說明內存帶寬的計算方法：內存帶寬=工作頻率×位寬/8×n(時鐘脈沖上下沿傳輸系數，DDR的系數為2)。
由于DDR內存條價格低廉，性能出色，因此成為今日主流的內存產品。過時的貴族—RDRAM'8
RDRAM(存儲器總線式動態隨機存儲器)是Rambus公司開發的一種新型DRAM。RDRAM雖然位寬比SDRAM及DDR的64bit窄，但其時鐘頻率要高得多。從外觀上來看，RDRAM內存條與SDRAM、DDR SDRAM內存條有點相似。從技術上來看，RDRAM是一種比較先進的內存，但由于價格高，在市場上普及不是很實際。如今的RDRAM已經退出了普通臺式機市場。Jn^Lm
3.內存的封裝xS{
目前內存的封裝方式主要有TSOP、BGA、CSP等三種，封裝方式也影響著內存條的性能優劣。
TSOP封裝：TOSP(Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封裝)的一個典型特點就是在封裝芯片的周圍做出很多引腳。TSOP封裝操作方便，可靠性比較高，是目前的主流封裝方式。X5hwJm
BGA封裝：BGA叫做“球柵陣列封裝”，其最大的特點就是芯片的引腳數目增多了，組裝成品率提高了。采用BGA封裝可以使內存在體積不變的情況下將內存容量提高兩到三倍，與TSOP相比，它具有更小的體積、更好的散熱性能和電性能。#bfzvx
CSP封裝：CSP(Chip Scale Package，芯片級封裝)作為新一代封裝方式，其性能又有了很大的提高。CSP封裝不但體積小，同時也更薄，更能提高內存芯片長時間運行的可靠性，芯片速度也隨之得到大幅度的提高。目前該封裝方式主要用于高頻DDR內存。
1.時鐘周期(TCK)s[{
TCK是“Clock Cycle Time”的縮寫，即內存時鐘周期。它代表了內存可以運行的最大工作頻率，數字越小說明內存所能運行的頻率就越高。時鐘周期與內存的工作頻率是成倒數的，即TCK=1/F。比如一塊標有“-10”字樣的內存芯片，“-10”表示它的運行時鐘周期為10ns，即可以在100MHz的頻率下正常工作。 2.存取時間(TAC)/h+L
TAC(Access Time From CLK)表示“存取時間”。與時鐘周期不同，TAC僅僅代表訪問數據所需要的時間。如一塊標有“-7J”字樣的內存芯片說明該內存條的存取時間是7ns。存取時間越短，則該內存條的性能越好，比如說兩根內存條都工作在133MHz下，其中一根的存取時間為6ns，另外一根是7ns，則前者的速度要好于后者。
3.CAS延遲時間(CL)
CL(CAS Latency)是內存性能的一個重要指標，它是內存縱向地址脈沖的反應時間。當電腦需要向內存讀取數據時，在實際讀取之前一般都有一個“緩沖期”，而“緩沖期”的時間長度，就是這個CL了。內存的CL值越低越好，因此，縮短CAS的周期有助于加快內存在同一頻率下的工作速度。
4.奇偶校驗(ECC)HIIA
內存是一種數據中轉“倉庫”，而在頻繁的中轉過程中，一旦搞錯了數據怎么辦?而ECC就是一種數據檢驗機制。ECC不僅能夠判斷數據的正確性，還能糾正大多數錯誤。普通PC中一般不用這種內存，它們一般應用在高端的服務器電腦中。oK9pld
目前市場上主流的內存有SDRAM和DDR SDRAM，內存條品牌主要有勝創，金士頓、三星、宇瞻、富豪、現代等等3}zX
1. 內存的單面與雙面，單Bank與雙Bank的區別?
單面內存與雙面內存的區別在于單面內存的內存芯片都在同一面上，而雙面內存的內存芯片分布在兩面。而單Bank與雙Bank的區別就不同了。Bank從物理上理解為北橋芯片到內存的通道，通常每個通道為64bit。一塊主板的性能優劣主要取決于它的芯片組。不同的芯片組所支持的Bank是不同的。如Intel 82845系列芯片組支持4個Bank，而SiS的645系列芯片組則能支持6個Bank。如果主板只支持4個Bank，而我們卻用6個Bank的話，那多余的2個Bank就白白地浪費了。雙面不一定是雙Bank，也有可能是單Bank，這一點要注意。
2. 內存的2-2-3通常是什么意思?
這些電腦硬件文章經常出現的參數就是在主板的BIOS里面關于內存參數的設置了。通常說的2-2-3按順序說的是tRP(Time of Row Precharge)，tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。tRP為RAS預充電時間，數值越小越好;tRCD是RAS到CAS的延遲，數值越小越好;CL(CAS Latency)為CAS的延遲時間，這是縱向地址脈沖的反應時間，也是在一定頻率下衡量支持不同規范的內存的重要標志之一。
3.內存的雙通道技術和單通道有什么不同?
什么是雙通道DDR技術呢?需要說明的是，它并非我前面提到的D D R I I，而是一種可以讓2條D D R內存共同使用，數據并行傳輸的技術。雙通道DDR技術的優勢在于，它可以讓內存帶寬在原來的基礎上增加一倍，這對于P 4處理器的好處可謂不言而喻。400M H z 前端總線的P 4 A處理器和主板傳輸數據的帶寬為3.2G B /s，而533 M Hz 前端總線的P4B處理器更是達到了4.3G B/s，而P4C處理器更是達到了800MHZ 前端總線從而需要6. 4 G的內存帶寬。但是目前除了I850E支持的R ambus P C10 66規范外，根本沒有內存可以滿足處理器的需要，我們最常用的DDR333本身僅具有2.7G B/s的帶寬。DDR400也只能提供3.2G /s的帶寬。也就是說，如果我們搭建雙通道DDR400的內存，理論上提供2倍DDR400的帶寬。將從而根本的解決了CPU和內存之間的瓶頸問題。
4.DDR-Ⅱ和現在的DDR內存有什么不同?
DDR-II內存是相對于現在主流的DDR-I內存而言的，它們的工作時鐘預計將為400MHz或更高。主流內存市場將從現在的DDR-400產品直接過渡到DDR-II。目前DDR-II內存將采用0.13微米工藝，將來會過度到90納米，工作頻率也會超過800MHZ。
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