關于內存條的知識，新手必看(2)
關于內存條的知識，新手必看
下面我們來說一下相同品牌內存的選購。讓我來為大家解讀一些品牌內存的顆粒編號含義：
HY XX X XX XX XX X X X X X - XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ? 12
這個是市場上流行的現代內存的標號。對應位置上
1=不用我說你也看出來了當然是代表HY生產的顆粒嘍
2=內存芯片類型：5D ：DDR SDRAMS
3=工藝與工作電壓V ：CMOS，3.3V U : CMOS, 2.5V
4=芯片容量和刷新速率： 64 :64m, 4kref 66 :64m, 2kref 28 :128m,4kref 56 :256m,8kref 12 :512m,8kref
5=芯片結構(數據寬度)4：X4(數據寬度4bit 下同) 8 :x8 16 :x16 32 :x32
6=BANK數量： 1 :2BANKS 2 :4BANKS
7=I/O界面： 1 :SSTL_3 2 :SSTL_2
8=芯片內核版本： 空白:第一代 A :第二代 B :第三代 C :第四代
9=能量等級： 空白 :普通 L :低能耗
10=封裝形式： T :TSOP Q :TQFP L :CSP(LF-CSP) F :FBGA
11=工作速度： 33 :300NHZ 4 :250MHZ 43 :233MHZ 45 :222MHZ 5 :200MHZ 55 :183MHZ K :DDR266A H :DDR266B L :DDR200
12=廠商芯片批號
kvr *** X ** * c* / ***
1 2 3 4 5 6 7 8
1=KVR代表kingston value RAM
2=外頻速度
3=一般為X
4=64為沒有ECC;72代表有ECC
5=有S字符表示筆記本專用內存，沒有S字符表示普通的臺式機或是服務器內存
6=3：CAS=3;2.5：CAS=2.5;2：CAS=2
7=分隔符號
8=內存的容量
我們以金士頓ValueRAM DDR內存編號為例：編號為ValueRAM KVR400X64C25/256 這條內存就是。金士頓ValueRAM外頻400MHZ不帶有ECC校驗的CAS=2.5的256M內存，我想通過以上的方法，更能方便大家對于內存的理解和選購。接下來我在強調一些有關內存的常見問題：
1、內存的單面與雙面，單Bank與雙Bank的區別?
單面內存與雙面內存的區別在于單面內存的內存芯片都在同一面上，而雙面內存的內存芯片分布在兩面。而單Bank與雙Bank的區別就不同了。Bank從物理上理解為北橋芯片到內存的通道，通常每個通道為64bit。一塊主板的性能優劣主要取決于它的芯片組。不同的芯片組所支持的Bank是不同的。如 Intel 82845系列芯片組支持4個Bank，而SiS的645系列芯片組則能支持6個Bank。如果主板只支持4個Bank，而我們卻用6個Bank的話，那多余的2個Bank就白白地浪費了。雙面不一定是雙Bank，也有可能是單Bank，這一點要注意。
2、內存的2-2-3通常是什么意思?
這些電腦硬件文章經常出現的參數就是在主板的BIOS里面關于內存參數的設置了。通常說的2-2-3按順序說的是tRP(Time of Row Precharge)，tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。tRP為RAS預充電時間，數值越小越好;tRCD是RAS到CAS的延遲，數值越小越好;CL(CAS Latency)為CAS的延遲時間，這是縱向地址脈沖的反應時間，也是在一定頻率下衡量支持不同規范的內存的重要標志之一。
3、內存的雙通道技術和單通道有什么不同?
什么是雙通道DDR技術呢?需要說明的是，它并非我前面提到的DDRII，而是一種可以讓 2條DDR內存共同使用，數據并行傳輸的技術。雙通道DDR技術的優勢在于，它可以讓內存帶寬在原來的基礎上增加一倍，這對于P4處理器的好處可謂不言而喻。400MHz FSB的P4A處理器和主板傳輸數據的帶寬為3.2GB/s，而533MHz FSB的P4B處理器的吞吐能力更是達到了4.3GB/s，而P4C處理器更是達到了800MHZ FSB從而需要6.4G的內存帶寬。但是目前除了I850E支持的Rambus PC1066規范外，根本沒有內存可以滿足處理器的需要，我們最常用的DDR333本身僅具有2.7GB/s的帶寬。DDR400也只能提供3.2G/s 的帶寬。也就是說，如果我們搭建雙通道DDR400的內存，將能夠提供6.4G/s的內存帶寬，從而根本的解決了CPU和內存之間的瓶頸問題。
4、DDR-Ⅱ和現在的DDR內存有什么不同?
DDR-II內存是相對于現在主流的DDR-I內存而言的，它們的工作時鐘預計將為 400MHz或更高。主流內存市場將從現在的DDR-333產品直接過渡到DDR-II。DDR-II內存將采用0.13微米工藝，容量為 18MB/36MB/72MB，最大288MB，字節架構為X8、X18、X36，讀取反應時間為2.5個時鐘周期。
通過將DLL(delay-locked loop，延時鎖定回路)設計到內存中(這與Rambus設計理念相似)，輸出的數據效率提升65%左右，DDR數據傳送方式為每周期32個字節，并且可以隨工作頻率的提升達到更高性能。已知道的規格有：系統內存方面包括400MHz(4.8GB/s帶寬)、533MHz(5.6GB/s帶寬)、 667MHz(6.4GB/s帶寬)三種，顯卡(默認規格)方面包括800MHz、1000MHz兩種。所有的DDR-II內存均在1.8V下工作，單條容量至少有512MB。DDR-II管腳數量有200pin、220pin、240pinFBGA封裝形式之分，與現在的DDR內存不相容。
最后，我將為大家講授內存的造假售假方法。(以下文字未經內存廠商證實，僅僅為筆者長時間的經驗積累，不承擔相應的法律責任，特此聲明)
現在的假貨內存主要集中在HY普通條子和某些大廠內存(例如這段時間沸沸揚揚的Kingmax)上面。這里面，大廠的內存條比較容易識別，一般來講，大廠盒裝的正品內存在他的內存顆粒或者PCB上都會有廠商的鐳射防偽標簽，內存標簽清晰，字體規范，Kingmax等品牌內存還帶有800免費的防偽咨詢電話，現場打電話就可以辨別內存的真偽。因為大廠的內存價格相對透明，因此你在購買內存的時候只要不貪圖便宜，就應該可以買到正品大廠內存。
而現在最難鑒別的就是HY的內存，據筆者調查，現在市場上50%以上的HY散裝內存都是假貨，但是，假貨也分檔次。比較有“良心”的假貨就是我們通常所說的REMARK(打磨)最常見的就是將HY的內存顆粒表面用有機溶劑清洗，再標上更高內存性能的編號，例如將DDR266的內存打磨成DDR333的內存出售或者打磨成Kingstone， Kingmax等大廠的內存出售，謀取利益。這樣的內存在容量上沒有問題，但是因為一般都是在超標準頻率下使用，必然導致系統的不穩定。這種內存一般很好辨別，只要用手搓內存顆粒表面，用指甲刮，就能輕易的將表面的字跡去除，從而辨別真假。
但是，一些手段比較高明的造假者，做出來的內存表面進行了特殊處理，讓你不能夠輕易的抹除字跡。對于這種內存，就要考考您的眼力了。一般說來，正品的內存字跡都是激光“刻”印在內存顆粒上的，會在內存顆粒上留下痕跡，打磨內存的奸商必然覆蓋這些痕跡，看上去字體不是那么的規范，字的大小也不是很一致。字體的邊角不夠圓滑。辨別類似的內存，就需要一些久經殺場的老鳥了。下面我將告訴大家一種最為狠毒的制假方法，那就是本文開頭提到的“油條”了。
我先簡要講述一下此種內存的制作“工藝”。這種內存主要生長在我國南部省份，以深圳為甚。
首先，不法奸商用極其低廉的價格(1000元人民幣一噸)收購國外運來的洋垃圾，或者是在中國市場上幾乎可以不計成本的收購已經燒掉或者損壞的內存條，將這些內存放到一個大油鍋里面煮，去掉焊錫，清除焊點和內存表面的字跡。然后用香蕉水(劇毒，有強烈刺激氣味)進行清洗。
然后，挑出相同的芯片重新焊在PCB上，再標上內存編號進行銷售，這樣的內存千條采購價格以256M為例只有120元左右。可以說相當具有“性價比”，從而成為不法奸商們手中的“極品”以牟取暴利。這種內存可以說是性能和穩定性皆無。但是，我們不得不佩服中國人的制假方法，他們把這種內存做的和HY內存一模一樣，只是內存PCB顏色看上去有些許的不均勻。但是，這種內存基本上還是很好辨別，大家在購買內存的時候，不要只看內存的表面字跡，應該注意一下內存顆粒右下角的內存編號一般都是數字例如56787之類的，這種內存由于大批量處理，一般在一條內存上你會發現有2種甚至更多種的內存顆粒只要抓住這點，基本上可以識別出這種假貨內存，另外，我們還可以聞一下內存，都會有一些余味(香蕉水的味道)
最后，筆者奉勸您在購買內存的過程中，不要貪圖幾十元的小便宜，而為您的系統帶來不穩定甚至導致整機的故障。希望通過本文，能夠對您在內存的選購方面有所幫助。希望大家都能夠買到穩定性能一流的內存