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iphone6可以加內存嗎

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  蘋果公司(Apple Inc. )是美國的一家高科技公司。由史蒂夫·喬布斯、斯蒂夫·沃茲尼亞克和羅·韋恩(Ron Wayne)等三人于1976年4月1日創立,下面是學習啦小編帶來的關于iphone6可以加內存嗎的內容,歡迎閱讀!

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  不能,iphone在被設計時就已經把所有東西弄成一體的,所有東西都是相連的。

  iPhone手機的所有配件都是一體安裝的,無法改裝。可以通過外接iPhone專用優盤實現擴容的效果,比如“覓果”這款產品。

  提示:可以通過售后維修進行修理,價格較高,平時多清理手機緩存和沒必要的軟件。

  iPhone 6是蘋果公司(Apple)在2014年9月9日推出的一款手機,已于2014年9月19日正式上市。

  iPhone 6采用4.7英寸屏幕,分辨率為1334*750像素,內置64位構架的蘋果A8處理器,性能提升非常明顯;同時還搭配全新的M8協處理器,專為健康應用所設計;采用后置800萬像素鏡頭,前置120萬像素 鞠昀攝影FaceTime HD 高清攝像頭;并且加入Touch ID支持指紋識別,首次新增NFC功能;也是一款三網通手機,4G LTE連接速度可達150Mbps,支持多達20個LTE頻段。

  設計師卡薩巴-納吉(Csaba Nagy),而在他眼中的iPhone6應該朝著透明的方向靠攏。因而,他將該設備打造成了一款極薄、透明,且內置有可互動玻璃外觀的“神機”。據悉,設計圖中的iPhone6擁有一個內置有LED燈的HOME鍵,只有在用戶按下時才會亮起。而且,該手機還具備有全息投影功能,可以將手機畫面投射到一塊相對更寬的背景中。

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  DDR時代
DDRSDRAM(Double Data Rate SDRAM)簡稱DDR,也就是“雙倍速率SDRAM”的意思。DDR可以說是SDRAM的升級版本,DDR在時鐘信號上升沿與下降沿各傳輸一次數據,這使得DDR的數據傳輸速度為傳統SDRAM的兩倍。由于僅多采用了下降緣信號,因此并不會造成能耗增加。至于定址與控制信號則與傳統SDRAM相同,僅在時鐘上升緣傳輸。

  DDR內存是作為一種在性能與成本之間折中的解決方案,其目的是迅速建立起牢固的市場空間,繼而一步步在頻率上高歌猛進,最終彌補內存帶寬上的不足。第一代DDR200 規范并沒有得到普及,第二代PC266 DDR SRAM(133MHz時鐘×2倍數據傳輸=266MHz帶寬)是由PC133SDRAM內存所衍生出的,它將DDR 內存帶向第一個高潮,目前還有不少賽揚和AMD K7處理器都在采用DDR266規格的內存,其后來的DDR333內存也屬于一種過度,而DDR400內存成為目前的主流平臺選配,雙通道DDR400內存已經成為800FSB處理器搭配的基本標準,隨后的DDR533 規范則成為超頻用戶的選擇對象。

  DDR2時代

  隨著CPU 性能不斷提高,我們對內存性能的要求也逐步升級。不可否認,緊緊依高頻率提升帶寬的DDR遲早會力不從心,因此JEDEC 組織很早就開始醞釀DDR2 標準,加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平臺開始對DDR2內存的支持,所以DDR2內存將開始演義內存領域的今天。

  DDR2 能夠在100MHz 的發信頻率基礎上提供每插腳最少400MB/s 的帶寬,而且其接口將運行于1.8V 電壓上,從而進一步降低發熱量,以便提高頻率。此外,DDR2 將融入CAS、OCD、ODT 等新性能指標和中斷指令,提升內存帶寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2標準來看,針對PC等市場的DDR2內存將擁有400、533、667MHz等不同的時鐘頻率。高端的DDR2內存將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II內存將采用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2內存將采用0.13微米的生產工藝,內存顆粒的電壓為1.8V,容量密度為512MB。

  內存技術在2005年將會毫無懸念,SDRAM為代表的靜態內存在五年內不會普及。QBM與RDRAM內存也難以挽回頹勢,因此DDR與DDR2共存時代將是鐵定的事實。

  PC-100的“接班人”除了PC一133以外,VCM(VirXual Channel Memory)也是很重要的一員。VCM即“虛擬通道存儲器”,這也是目前大多數較新的芯片組支持的一種內存標準,VCM內存主要根據由NEC公司開發的一種“緩存式DRAM”技術制造而成,它集成了“通道緩存”,由高速寄存器進行配置和控制。在實現高速數據傳輸的同時,VCM還維持著對傳統SDRAM的高度兼容性,所以通常也把VCM內存稱為VCM SDRAM。VCM與SDRAM的差別在于不論是否經過CPU處理的數據,都可先交于VCM進行處理,而普通的SDRAM就只能處理經CPU處理以后的數據,所以VCM要比SDRAM處理數據的速度快20%以上。目前可以支持VCM SDRAM的芯片組很多,包括:Intel的815E、VIA的694X等。

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