內存傳輸類型是什么意思
內存傳輸類型是什么意思
內存傳輸類型是什么意思?內存傳輸類型,是指內存所采用的內存類型。不同類型的內存,傳輸類型各有差異,下面跟著學習啦小編來一起了解下內存傳輸類型吧。
內存傳輸類型詳解
內存傳輸類型，是指內存所采用的內存類型。不同類型的內存，傳輸類型各有差異，在傳輸率、工作頻率、工作方式、工作電壓等方面，都有不同。目前，市場中主要有的內存類型有SDRAM、DDRSDRAM和RDRAM三種。其中，DDRSDRAM內存占據了市場的主流，而SDRAM內存規格已不再發展，處于被淘汰的行列。RDRAM則始終未成為市場的主流，只有部分芯片組支持，而這些芯片組也逐漸退出了市場，RDRAM前景并不被看好。
1)SDRAM
SDRAM，即SynchronousDRAM(同步動態隨機存儲器)，曾經是PC電腦上最為廣泛應用的一種內存類型，即便在今天，SDRAM仍舊還在市場占有一席之地。既然是同步動態隨機存儲器，那就代表著它的工作速度是與系統總線速度同步的。
SDRAM內存又分為PC66、PC100、PC133等不同規格，而規格后面的數字，就代表著該內存最大所能正常工作的系統總線速度，如PC100，那就說明此內存可以在系統總線為100MHz的電腦中同步工作。
與系統總線速度同步，也就是與系統時鐘同步，這樣就避免了不必要的等待周期，減少數據存儲時間。同步還使存儲控制器知道在哪一個時鐘脈沖期由數據請求使用，因此數據可在脈沖上升期便開始傳輸。SDRAM采用3.3伏工作電壓，168Pin的DIMM接口，帶寬為64位。SDRAM不僅應用在內存上，在顯存上也較為常見。
2)DDR
嚴格的說，DDR應該叫DDRSDRAM，人們習慣稱為DDR。部分初學者也常看到DDRSDRAM，就認為是SDRAM。DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。
DDR內存是在SDRAM內存的基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系。因此，對于內存廠商而言，只需對制造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。
SDRAM在一個時鐘周期內只傳輸一次數據，它是在時鐘的上升期進行數據傳輸;而DDR內存則是一個時鐘周期內傳輸兩次數據，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數據。因此，稱為雙倍速率同步動態隨機存儲器。DDR內存可以在與SDRAM相同的總線頻率下，達到更高的數據傳輸率。
與SDRAM相比，DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、數據輸送和輸出的主要步驟，既獨立執行，又保持與CPU完全同步。DDR使用了DLL(DelayLockedLoop，延時鎖定回路提供一個數據濾波信號)技術，當數據有效時，存儲控制器可使用這個數據濾波信號來精確定位數據，每16次輸出一次，并重新同步來自不同存儲器模塊的數據。DDR本質上不需要提高時鐘頻率，就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數據，因而其速度是標準SDRA的兩倍。
從外形體積上看，DDR與SDRAM相比差別并不大。他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等信號。DDR內存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標準，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標準。
3)RDRAM
RDRAM(RambusDRAM)是美國的RAMBUS公司開發的一種內存。與DDR和SDRAM不同，它采用了串行的數據傳輸模式。在推出時，因為其徹底改變了內存的傳輸模式，無法保證與原有的制造工藝相兼容，而且內存廠商要生產RDRAM，還必須要加納一定專利費用，再加上其本身制造成本，就導致了RDRAM從一問世就高昂的價格，讓普通用戶無法接收。而同時期的DDR則能以較低的價格，不錯的性能，逐漸成為主流，雖然RDRAM曾受到英特爾公司的大力支持，但始終沒有成為主流。
RDRAM的數據存儲位寬是16位，遠低于DDR和SDRAM的64位。但在頻率方面，則遠遠高于二者，可以達到400MHz乃至更高。同樣也是在一個時鐘周期內傳輸兩次次數據，能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數據，內存帶寬能達到1.6Gbyte/s。
普通的DRAM行緩沖器的信息，在寫回存儲器后便不再保留，而RDRAM則具有繼續保持這一信息的特性，于是在進行存儲器訪問時，如行緩沖器中已經有目標數據，則可利用，因而實現了高速訪問。另外，其可把數據集中起來，以分組的形式傳送。所以，只要最初用24個時鐘，以后便可每1時鐘讀出1個字節。一次訪問所能讀出的數據長度，可以達到256字節。
4)DDR2
DDR2(DoubleDataRate2)SDRAM，是由JEDEC(電子設備工程聯合委員會)進行開發的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力(即：4bit數據讀預取)。換句話說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍于外部總線的速度讀/寫數據，并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。
DDR和DDR2技術對比的數據此外，由于DDR2標準規定所有DDR2內存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200，經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度。隨著Intel最新處理器技術的發展，前端總線對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。
DDR4內存的改進：
1.DDR4內存條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀
2.DDR4內存頻率提升明顯，可達4266MHz
3.DDR4內存容量提升明顯，可達128GB
4.DDR4功耗明顯降低，電壓達到1.2V、甚至更低
很多電腦用戶可能對于內存的內在改進不會有太多的關注，而外在的變化更容易被人發現，一直一來，內存的金手指都是直線型的，而在DDR4這一代，內存的金手指發生了明顯的改變，那就是變得彎曲了，其實一直一來，平直的內存金手指插入內存插槽后，受到的摩擦力較大，因此內存存在難以拔出和難以插入的情況，為了解決這個問題，DDR4將內存下部設計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。這樣的設計既可以保證DDR4內存的金手指和內存插槽觸點有足夠的接觸面，信號傳輸確保信號穩定的同時，讓中間凸起的部分和內存插槽產生足夠的摩擦力穩定內存。
其次，DDR4內存的金手指本身設計有較明顯變化。金手指中間的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更為靠近中央。在金手指觸點數量方面，普通DDR4內存有284個，而DDR3則是240個，每一個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm，筆記本電腦內存上使用的SO-DIMM DDR4內存有256個觸點，SO-DIMM DDR3有204個觸點，間距從0.6毫米縮減到了0.5毫米。
第三，標準尺寸的DDR4內存在PCB、長度和高度上，也做出了一定調整。由于DDR4芯片封裝方式的改變以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB層數相比DDR3更多，而整體尺寸也有了不同的變化
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